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Tektronix 泰克Keithley 4200A-SCS 参数分析仪产品介绍:
产品型号:Keithley 4200A-SCS
产品品牌:Tektronix 泰克
产品类别:分析仪
产品备注:参数分析仪
Tektronix 泰克Keithley 4200A-SCS 参数分析仪产品特点:
使用 4200A-SCS 加快半导体设备、材料和工艺开发的探索、可靠性和故障分析研究。 **性能参数分析仪,提供同步电流-电压 (I-V)、电容-电压 (C-V) 和**快脉冲 I-V 测量。
Tektronix 泰克Keithley 4200A-SCS 参数分析仪产品优势:
大胆发现**如此简单。 4200A-SCS 参数分析仪可将检定和测试设置的复杂程度降低高达 50%,提供清晰且不折不扣的测量和分析功能。 另外,嵌入式测量专业知识(业界**)可提供测试指南并让您对结果充满信心。
特点
内置英语,中文,日语和韩语版本的测量视频
使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试
自动实时参数提取、数据绘图、算数函数
4200A-CVIV 多通道切换模块自动在 I-V 和 C-V 测量之间切换,*重新布线或抬起探头端部。 与竞争产品不同,四通道 4200A-CVIV 显示器提供本地可视查看,可快速完成测试设置,并在出现意想不到的结果时轻松排除故障。
特点
*重新布线即可将 C-V 测量移动到任何设备终端
用户可配置低电流功能
个性化输出通道名称
查看实时测试状态
使用 4201-SMU 和 4211-SMU 模块,您可以在高电容系统中实现稳定的低电流测量。4200A-SCS 有四种型号的源测量单位 (SMU) 可供选择,可通过定制满足您所有的 I-V 测量需求。通过提供现场可安装单元和可选的预放大器模块,Keithley 可确保您获得**准确的低电流测量,而停机时间很少甚至没有。
特点
不必将仪器送回工厂即可增加 SMU
进行 飞安测量
多达 9 个 SMU 通道
针对长电缆或大卡盘进行了优化
4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器,包括 MPI Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低温控制器。
特点
“点击”测试定序
“手动”探测器模式测试探测器功能
假探测器模式*移除命令即可实现调试
吉时利**计划以按需服务事件的一小部分成本提供快速、高质量的服务。 只需点击一下或拨打一个电话即可获得维修服务,在此过程中,*报价或填写采购单,也不会有审批延误。
Tektronix 泰克Keithley 4200A-SCS 参数分析仪产品应用:
在执行复杂的可靠性测试时,4200A-SCS 可以帮您处理复杂的工作。包括诸如热载流子注入降解 (HCI) 和负偏置温度不稳定性 (NBTI) 之类的项目,可帮助您快速进行器件分析。对于大型实验室,4200-BTI 套件随附支持网站地图绘制和自动探测器控制功能的 Keithley ACS 软件。
特点
只需一组测试,即可满足您的直流 I-V、C-V 和脉冲测量需求
支持多种探头站和外部仪器
循环系统易于使用,允许在*编码的情况下重复测试
采用 Keithley 的自定义较低频 C-V 技术分析高电阻样本的电容。 该技术可通过仅使用源测量单元 (SMU) 仪器实现应用,同时可与 4210-CVU 结合使用,执行更高频率测量。
特点
.01 ~ 10 Hz 频率范围,1 pF ~ 10 nF 灵敏度
3½ 位典型分辨率,**小典型值 10 fF
通过*脉冲 I-V 检定在测试中利用新技术。 4200A-SCS 为**新 NVRAM 技术提供支持和即用型测试,从浮动门电路闪存到 ReRAM 和 FeRAM,不一而足。 电流和电压双源和测量功能同时支持瞬态和 I-V 域检定。
当测试需要非常长的电缆或具有较高电容的夹具时,请使用 4201 或4211-SMU。这些 SMU 非常适合连接 LCD 测试站、探测器、开关矩阵或任何其他大型或复杂的测试仪。现场可安装版本使您*将设备返回服务中心即可增加容量。
4200A-SCS 的集成仪器功能可简化碳纳米管等纳米级电子器件开发方面的测量要求。 从预配置测试项目开始着手,逐步扩大您的研究工作范围。 SMU 的脉冲源模式可帮助缓解过热问题,数秒内即可完成与低电压 C-V 和**快速脉冲直流测量的组合。
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS,可通过四点同轴探头或范德堡法轻松测量电阻率。 内含测试可自动重复执行范德堡计算,节省您宝贵的研究时间。 10aA 的**电流分辨率和大于 1016 欧姆的输入阻抗可提供更准确和精准的结果。
4200A-SCS 可容纳所有必要的仪器,用于通过组件或晶圆测试执行*的 MOS 设备检定。 内含测试和项目可以解决 MOSCap 的氧化物厚度、门限电压、掺杂浓度、移动离子浓度等问题。 只需触摸一个仪器盒中的按钮,即可运行所有这些测试。
技术参数
直流电流-电压
(I-V) 范围
10 aA – 1A
0.2 µV – 210 V
电容-电压
(C-V) 范围
1 kHz – 10 MHz
± 30V 直流偏置
脉冲 I-V
范围
±40 V (80 V p-p),±800 mA
200 MSa/s,5 ns 采样率
标价仅供参考,详细报价请联系客户,价格以合同为准。